RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
64
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
64
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1948
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link