RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2839
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link