RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
56
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.1
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
4022
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link