RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
26
读取速度,GB/s
4,387.7
19.0
写入速度,GB/s
1,813.5
17.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
4022
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link