RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
56
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2886
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link