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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
4,387.7
16.7
写入速度,GB/s
1,813.5
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2886
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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