RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
72
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
72
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
1817
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link