RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2534
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link