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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2534
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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