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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
12.8
15.4
写入速度,GB/s
9.0
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2534
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Kingston XN205T-MIE 16GB
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