RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2660
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link