RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3125
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link