RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3379
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link