RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3379
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link