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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
17.1
写入速度,GB/s
9.0
14.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3379
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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