RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3249
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link