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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
9.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3249
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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