Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 39

Около 33% меньшая задержка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 39
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 17.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2600

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB

UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM