RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
21.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3486
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link