RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
76
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
76
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
1718
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link