RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
50
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
50
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2424
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link