RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
11.3
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2395
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link