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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
49
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
9.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2395
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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