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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.9
11.3
写入速度,GB/s
8.7
9.6
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2395
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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