RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3698
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link