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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
19.2
写入速度,GB/s
8.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3698
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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