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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
11.8
20.3
写入速度,GB/s
7.3
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3507
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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