Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 51

Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 16.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2208 2608

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

модули RAM