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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
16.4
写入速度,GB/s
8.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2608
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-173.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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