RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3291
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link