RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2687
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link