RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
52
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
52
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2306
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link