Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 51

Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.5 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 31
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 12.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2208 2361

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

модули RAM