RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    51 left arrow 56
    Около 9% меньшая задержка
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    10.1 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 56
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 10.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 8.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2208 left arrow 2307

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
модули RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
модули RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
модули RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
модули RAM