RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2073
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link