RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
61
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
61
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2028
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link