RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
19.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3653
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link