RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2786
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link