Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 44

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 31
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 14.8
Скорость записи, Гб/сек

8.1 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 3122

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

модули RAM