RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2925
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link