RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3233
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link