RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2579
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link