RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2579
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link