RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
49
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2942
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link