Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Kingston 9965600-027.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

10.1 9.8

Среднее значение в тестах

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 49

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.9 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 33
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 9.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 2250

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB

модули RAM