RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
11.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2395
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link