Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 49
    Около -36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.7 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.9 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.1 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 8.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2070 left arrow 2588
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения