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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 49
    周辺 -36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2588

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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