Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 47

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 18.2
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3384

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905622-024.A00G 4GB

Kingston 9905622-024.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM