Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 47

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 36
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 15.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3098

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

модули RAM